研究者は2つの半導体材料と結婚し、テラヘルツ速度に備える

ドイツの研究者は、シリコンやリン化インジウムの半導体サンドイッチを作り、医用イメージングやモバイル接続などの愚かで高速な処理を必要とするアプリケーションの要求を満たすことができるチップを作りました。

ベルリンに本拠を置くFerdinand-Braun-InstitutとIHP-Leibniz-Institutの2つのドイツの科学機関の科学者は火曜日に標準的なCMOS製造プロセスで作られたシリコンベースの集積回路とインジウム同じ半導体ウェーハ上に形成される。

「両技術の世界を非常にスムーズに調整して、回路が特定の高周波性能を完全に発揮できるようにしました」 – Wolfgang Heinrich

シリコンベースの層の上に配置されたリン化インジウム回路を見るチップは、特定の高周波アプリケーションではシリコンよりも高い性能を提供する可能性があります。

Ferdinand-Braun-Institutの教授であるWolfgang Heinrich教授は、「両方の技術分野を非常にスムーズに調整して、回路が特定の高周波性能を完全に発揮できるようにしました」と述べました(PDF)。

CMOSベースの回路で100GHzを超える周波数に移行すると、チップのロジックが実行するのに必要な安定した電圧を維持することがトランジスタのゲートにより困難になるため、チップの出力電力は低下します。

その結果、科学者たちはシリコンのゲルマニウムとチップを組み合わせ、インジウム – リン化物と組み合わせて標準的なCMOSプロセスで製造できるチップを作り、同時に典型的なシリコン上の性能を実証しました。

科学者の作業はまだ初期段階にあり、製造プロセスの安定化と大量生産のための回路の最適化に役立つさらなる研究が資金提供されています。

人々は何十年も先進の半導体のためにシリコンを超えた材料を探しており、そのほとんどが成功を収めています。スーパーコンピュータ企業Crayは、子会社のCray Computer Corporationを通じて80年代後半にガリウム砒素(GaAs)上に構築されたチップに基づいて高度なシステムを作りようとしましたが、このプロジェクトはコスト超過に苦しんでいました。同社のCray C90システム。

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